ZnO是Ⅱ-Ⅳ族宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度约3.3 eV，激子结合能高达60meV。目前，ZnO是光电材料领域的研究热点，其p型电导掺杂和能......

在施氮总量相同的条件下，比较NO3^- -N、NH4^＋-N的比例分别为1：0、2：1、4：1、6：1、10：1和0：1时对文心兰“黄金2号”生长发育的影响。试验结......