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ZnO是Ⅱ-Ⅳ族宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度约3.3 eV，激子结合能高达60meV。目前，ZnO是光电材料领域的研究热点，其p型电导掺杂和能带工程更是研究的重点。近年来，Yamamoto提出的活性施主和受主共掺杂技术为获得稳定低阻的p-ZnO薄膜提供了新的途径。此外，通过改变ZnO中Mg的掺入量，让Mg取代Zn原子，形成的Zn_(1-x)Mg_xO薄膜在保持六方纤锌矿结构不变的前提下能够调节带隙在3.3～4.0 eV之间变化。但是，由于Zn_(1-x)Mg_xO薄膜自身的电阻较大，加大了p型电