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中子辐照掺杂相关论文
区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成
中子辐照区熔 (氢 )硅片经退火后在近表面形成洁净区 ,在硅片内部形成体内微缺陷 .微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢......
期刊
区熔硅
微缺陷
洁净区
中子辐照掺杂
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