互补金属氯化物半导体相关论文
分析了CMOS带隙基准电压值的误差,给出了定量的数学表达式和相应的改进方法.在此理论指导下,用0.25 μm CMOS工艺设计了一个带隙基......
研究了一种采用线性化技术的低电压CMOS射频放大器。电路中．并联一个工作在线性区的MOS管来提高其线性。采用SMIC的0．18μm工艺，流片......
采用了国内0．6μm标准CMOS工艺设计实现了一种单片集成的分布式放大器。放大器采用四级级联结构，单元电路采用管联（cascode）结构以提高......
