【摘 要】
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分析了CMOS带隙基准电压值的误差,给出了定量的数学表达式和相应的改进方法.在此理论指导下,用0.25 μm CMOS工艺设计了一个带隙基准源,并制出芯片.基准电压的设计值为1.2 V,
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分析了CMOS带隙基准电压值的误差,给出了定量的数学表达式和相应的改进方法.在此理论指导下,用0.25 μm CMOS工艺设计了一个带隙基准源,并制出芯片.基准电压的设计值为1.2 V,实测结果表明,在不使用修正技术的情况下,基准电压值的均方差达3 mV,温度系数(从-40°C～100°C)为20 ppm/°C,电源抑制比(从2～3.3 V)80 μV/V,验证了理论分析的正确性.
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