摘要：利用传输线方法（TLM）重点研究了低掺杂浓度（2×10^17at／cm^3）n型GaAs接触层的欧姆接触，通过改变AuGe／Ni的厚度比、合金化的温度和......

通过铝诱导晶化非晶硅(Aluminum-Induced Crystallization,AIC)制备的多晶硅薄膜具有较高的铝掺杂浓度(2×1018cm-3),不适宜作为薄......