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碳化硅（SiC）具有宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和漂移速度等特性,是适宜制备功率器件的优异半导体材料。Si C MOSFET器件是适......
超高温陶瓷材料,因其具有高熔点(>3000℃)、高导热率、良好的抗氧化性、抗热震性和中等的热膨胀系数等性质,是现被广泛应用的超高......
采用热重分析实验研究了用磁控溅射沉积制备的Fe-75％Cu(质量分数)纳米涂层在低氧压条件下(只有Fe可被氧化)的氧化,探讨了纳米晶粒尺......
研究了纯Ce和含15%Ce(质量分数)的Co-Ce合金在600～800℃低氧压下的氧化.纯Ce氧化后形成CeO2的外氧化膜,而Co-15Ce则形成Ce的内氧化......
通过比较国外几种处理羰化渣的方法 ,对低压氧浸处理羰化渣进行热力学分析 ,计算出了在浸出反应条件下ΔGθ398的值 ;讨论了浸出反......
