光退火相关论文
用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si∶H)薄膜在中温情况下光退火,然后用XRD、Raman光谱和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间......
通过PECVD法在不同条件下直接沉积非晶硅(a-Si：H)薄膜，然后用光退火方法对非晶硅薄膜二次晶化，然后用Raman光谱和SEM分析对比，研究非晶......
本文利用高温模型,计算了在我们的实验条件下对离子注入硅进行线源非相干光瞬时退火的退火温度,并与实验结果比较,两者符合得较好......
用途与特点: FJ411A型热释光退火炉是第二代改进型产品。它与热释光剂量仪、热释光照射器和热释光探测器(俗称:剂量片)配套组成热......
本文发现在用光退火制备多晶硅薄膜过程中退火温度、时间等与多晶硅薄膜晶粒大小等晶化性质符合量子态模型。并对其物理思想进行了......
介绍了一种简单的光退火提高倒置型聚合物太阳电池效率的方法。通过采用易于溶液加工的Cs2CO3作为电子传输层,在光退火15 min之后,......
为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,......
用PECVD法直接沉积的非晶硅（a—Si：H）薄膜在中温情况下光退火，然后用XRD、Raman光谱和SEM分析，发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量......
