快速热退火相关论文
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有优异的光电特性,在紫外光电探测器、发光二极管、高电子迁移率晶体管、5G射......
学位
Al掺杂ZnO(AZO)薄膜由于具有优异的光学性能和良好的电学性能、制备成本低、对环境友好、能够应用于柔性器件等优点,在太阳能电池、......
随着5G的到来,网络的交互行为将变得更加频繁,数据的上传和下载量将是之前4G时代的数倍。这也就表明了无论是服务器还是云都需要比......
β-FeSi2是一种新型的半导体材料,其带隙宽度为0.81-0.87 eV,对应的发光波段为1.5μm。由于β-FeSi2制备工艺与Si基工艺具有良好的......
半导体激光器因其体积小,波长可调节和可靠性高等优点,被广泛应用在大气监测、激光测距、空间通信、激光手术和激光美容等领域。其......
Cu,Ag离子以不同的剂量比在室温条件下注入到高纯非晶二氧化硅玻璃,透射电镜明场像和相应的选区电子衍射花样证明了该样品中形成了......
会议
在分子束外延中,所有的掺杂剂都存在表面偏析效应.本文提出的低温分子束外延技术,有效地抑制了掺杂剂的表面偏析效应,掺杂浓度可达......
本文对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明:在600......
本文研究了磁控溅射的CuInGaSe2薄膜在CuCl2和InCl3溶液中浸泡10分钟后,进行快速热退火(RapidThermalProcess,RTP)对薄膜电学性能......
本实验中ZnO 及ZnO/Al 薄膜用直流反应磁控溅射法制备。靶选用金属Zn 及金属合金Zn/Al 靶。经快速热退火(RTA)后,通过XRD,UV-VIS-NIR ......
利用MOCVD方法Si(111)衬底上成功生长出高质量的p-GaN,经原位退火和快速热退火(RTA)处理后,宽穴浓度达到7.84×10cm,迁移率5.54cm/......
本文对氮化H-O合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究,将H-O合成和氮氧化栅两种技术结合起来,充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich......
本论文主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO-TTFT(ZnO基薄膜晶体管)器件,并通过XRD和透射光谱来对两种不......
提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程, 通过在NLDMOS的......
采用刻蚀技术形成台面结构的红外探测器光敏元,其表面漏电流和器件热稳定性与半导体蚀刻表面的特性密切相关。对制备的InAs/GaSb II......
研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800 ℃时,材料晶体质量和光致发光(......
将Fe离子注入在蓝宝石衬底上MOCVD生长的p-GaN薄膜,所用能量为150keV,剂量为1×1016cm-2。对注入后的样品在N2气氛中进行700℃~1000℃......
本文借助SIMS技术,系统地分析了45keV,1×1014、2×1015和5×1015cm-2BF+2注入单晶硅和80keV、2×1015cm-2BF+2注入多晶硅栅在快速退火条件下,F在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面,并对F在单晶硅......
采用刻蚀技术形成台面结构的红外探测器光敏元,其表面漏电流和器件热稳定性与半导体蚀刻表面的特性密切相关。对制备的InAs/GaSbⅡ......
自立的金属性的 nanostructures 被认为与有从光反射镜,致动器,和天线的三维的金属性的 nanostructures 的应用的科技的许多分支高度......
本实验采用脉冲准分子激光沉积(PLD)法,在193nm波长,5Hz频率,4J/cm2能量密度条件下,分别在Si(100)和SiO2/Si衬底上成功地沉积Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,并在不同的条件下对PZT薄膜进行退火处理。用......
采用室温下Se+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量、剂量、注入角度及快速热退火温度、时间,获得了高剂量(1×1013cm-2、200......
研究了改变注入角、p型埋层注入及红外快速热退火对GaAsIC有源层均匀性的影响,得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。在2英......
研究了快速热退火对应变InAS/InP单量子阱(SQW)结构光学性质的影响。样品经最佳条件700℃t,5s的快速热退火,8K温度下量子阱的荧光强度增加了4倍,量子阱荧光峰......
利用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火工艺在n-GaAs上形成低阻的欧姆接触.研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系,400~500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率......
集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层,以满足器件高密度和高速度的要求,低能离子注入是形成浅结的最有效手段,本文介绍了低能......
采用超高真空电子束蒸发设备和快速热退火工艺制备GaAs/Pd/AuGe/Ag/An多层结构和测量比接触电阻车所需的传输线模型。研究了比接触电阻......
用XeCl准分子激光器对a-Si∶H薄膜进行了低能量密度下的辐照处理,测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化.研究表明,能量密度......
将高剂量 ( 1× 1 0 17/cm2 ) Si+ 注入热氧化 Si O2 薄膜 ,在~ 5.0 e V( 2 65nm)激光的激发下 ,观测到 2 .97e V、2 .32 e V和 1 .......
本文研究Si中间淀积层对CoSi2/Si(100)固相异质外延的影响.用离子束溅射方法在Si(100)衬底上制备了Co/Si/Ti/Si多层薄膜结构,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应.实验......
本文首先研究了GaAlAs/GaAs多量子阱材料在不同快速热退火(RTA)条件下的量子阱无序,然后利用该技术研制了两种具有新颖结构的半导体激光器.一种是克服......
用磁控溅射法淀积的非合金膜系Au_Pt_Ni/ p_InP( 1~ 2× 1 0 18cm-3 ) ,在 40 0℃ 30s的退火条件下 ,实现了比接触电阻低达 3× 1 0......
介绍了离子注入ⅢⅤ族化合物半导体的特点,论述了离子注入ⅢⅤ族化合物半导体获得n 、p 型及深补偿能级的研究现状,讨论了离子注入......
报道了控制热处理过程中含氢非晶硅中纳米硅颗粒大小的一种新方法。用喇曼散射、X射线衍射和计算机模拟,发现在非晶硅中所形成的纳......
报道了一种从氢化非晶硅薄膜中生长纳米硅粒的方法.氢化非晶硅薄膜经过不同条件的热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进......
用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indiumtin oxide,ITO)薄膜,制作了以300nmITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED。在氮气环境下,......
Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3~1.5μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在InGaAsP多量子阱/InP缓冲层/InGaAs层上沉积Si02薄膜,通过N2气氛下快速热退火(RTA)方法实现无杂......
通过研究超薄Ni0.86Pt0.14金属硅化物薄膜的特性,提出采用310℃/60 s与480℃/10 s两步快速热退火(RTA)的工艺方案,形成的Ni(Pt)硅......
结合SiO_2纳米球掩模和反应离子刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅,利用低浓度的NaOH溶液去除由荷能离子撞击所带来的损伤......
I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱是1.8~3μm波段锑化物半导体激光器的首选材料,为进一步提升分子束外延生长的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱......
本文研究了1 nm钛作为插入层的条件下,镍与锗锡合金在不同退火温度下的固相反应,比较了微波退火和快速热退火对镍锗锡化物形成的影......
在4.68eV的激光激发下,室温CVD合成的纳米SiC粉体,可发射475nm的蓝光,经600~1100℃在N2气氛下进行快速退火(RTA)处理,其荧光强度随退火温度升高而增强,当T≥900℃时,荧光强度下......