六方氮化硼薄膜相关论文
二维材料具有平面内外各向异性的物理性质,它们可以从相应的体材料中剥离得到,当厚度薄到几个或单个原子层时,开始展现出独特的物......
六方氮化硼是重要的宽禁带半导体材料,禁带宽度超过6eV，具有优异的物理化学性质，如优异的热导性，高电阻率，高的微波与红外的透过性和化......
六方氮化硼(hBN)是重要的宽禁带半导体材料，禁带宽度>6eV。由于六方氮化硼具有宽禁带、耐高温、热导率高、热膨胀系数小以及化学稳......
六方氮化硼是重要的宽禁带半导体材料，其带隙宽度超过6eV，具有优异的物理化学性质，如优异的热导性，高电阻率，高的微波与红外的透过性和......
六方氮化硼薄膜研究目前尚处于基础阶段,其制备方法尚不成熟.本文主要介绍了采用化学气相沉积（CVD）工艺,以环硼氮烷（Borazine）为先驱体......
通过磁控溅射和化学沉积方法在Al N衬底上分别制备六方氮化硼和石墨烯薄膜,利用Raman、SEM对薄膜物相和形貌进行表征,并使用激光导......
氮化硼属于人工合成的III-V族半导体材料,而六方氮化硼作为良好的热导体和绝缘体的同时,与石墨烯的晶格也十分匹配,使其可以作为石......
