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再生长n+GaN相关论文
高电流增益截止频率的AlGaN/GaN HEMT器件研制
基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长Si重掺杂的n+GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)中实现非合金的欧姆接触......
期刊
AlGaN/GaN
再生长n+GaN
非合金欧姆接触
纳米栅
电流增益截止频率
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