介绍了一种评估功率LDMOS散热特性的方法.在0.18 μm BCD工艺平台制作了结构相同、叉指数量不同的LDMOS,并进行了TLP测试.通过对物......

为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路,提出了一种具有P埋层（BPL）的薄埋氧层SOI LDMOS结构,耐压1200V以上。该BPL SOI ......

讨论高压LDMOS阈值电压的温度特性，并给出了它的温度系数计算公式．根据计算结果，可以得到以下结论：通过提高沟道掺杂浓度或减少栅氧化......