双极电路相关论文
本文介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法.结果显示，阶跃降低辐照温度的变温辐照法，不仅能够......
本文介绍了一种运用于高压双极电路的结隔离3μm自对准多晶硅发射极双极互补工艺,采用该工艺技术制作的晶体管,其NPN管BV>50V、f=1......
该文研究并设计了一种适用于视频工作的高速精度ＣＭＯＳ单向隔离模拟开关两步法Ａ／Ｄ转换器（ＡＤＣ）。相比于双极电路的实现方式，ＣＭＯＳ单向隔离模拟开关的逻辑......
大多数行业都有其哲学上的激烈争论,如果仅从纯粹的娱乐价值出发,我们的行业具有更多这样的争论也许是一件好事.在我们行业的发展......
为确保华晶微电子股份公司的规范运作 ,华晶股份公司设立了管理和业务等组织机构。设立的管理部门有 :综合管理部、生产运行部、科......
第一部分微电子产业的形势及企业科技现状1．微电子技术现状及发展趋势当前，以集成电路为核心的世界微电子技术正以突飞猛进的速度向......
传统的双极电路制造工艺普遍采用了硼扩散工艺，主要用来形成重掺杂区。一般硼扩散都采用固相源扩散，通常用氮化硼圆片做为硼扩散的固......
为解决带有氮化硅薄膜工艺的BJT与JFET兼容的双极型集成电路横向PNP管和纵向PNP管放大系数衰减的技术难点，对此类电路的工艺现状进......
针对目前双极电路的ESD保护需求，引入SCR结构对芯片进行双极电路ESD保护。通过一次流片测试，发现加入SCR结构的电路芯片失效，SCR结构......
本文介绍了一种精密波形发生器的工作原理、电路设计、版图设计和制作工艺。该电路采用了模拟实验确定的优化单元电路结构,进行了......
实验研究了具有代表性的几种双极相容工艺,认为注磷调整法与现行双极工艺相容性好,在3种电路中应用获得成功,本文叙述了这一工艺方......
<正> 一、引言在半导体器件生产中,经常用硼离子注入制作双极电路中晶体管的基区。本文主要论述怎样根据电路对基区要求的结深、方......
本文中提出了一种用于于PwM模式的电源控制器中的误差放大器双极电路设计，该误差放大电路各个电参数指标如共模抑制比，开环增益，增益......
本文描述了电离辐射对硅器件影响的机理.对试验后的数据进行了分析,指出电离辐射对双极电路、MOS电路、CMOS电路的影响结果.......
菲利浦半导体公司宣布了一项硅BICMOS工艺技术，用此技术可生产fm。高达70Gllz的产品。这个fffi从约是以前硅器件产品的2倍，可和SIGe......
本文经大量实验和多年工作实践，得到了做有理层图形外延片HCl腐蚀的浓度，HCl腐蚀量的数据。对不同理层图形外延片HCl腐蚀的一些规律......
ＢｉＣＭＯＳ技术将双极器件和ＣＭＯＳ器件有机结合起来，充分发挥它们各自长处，使其既具有双极电路高速，强驱动能力的优点，又具有ＣＭＯＳ高集成度，低功耗的优点，已成......
以进口双极ＳＮ５５１８９Ｊ电路和国产双极５４Ｓ００电路为典型示例，系统介绍集成电路电浪涌损伤的诊断技术和分析技术，说明了如果ＩＣ电路出现电流浪涌损伤现象，应......
本文介绍了一种抗辐射加固可编程电压基准源的电路设计。本文分析了可编程电压基准源的电路结构,以及总剂量辐射对双极性电压基准......
在分析传统带隙基准源的基础上,设计了一种结构比较新颖的基准电压源,该电路具有静态电流小、温度系数好、功耗低、电源抑制比高和......
二维位置敏感探测器(2D-PSD)是一种对光点位置信息进行检测的器件，其输出的信号是与位置信息相关的电流信号，PSD输出信号处理电路一......
随着集成电路在航空航天等特殊领域的广泛应用,其产品对抗静电放电(ESD)的要求越来越高,CMOS集成电路由于自身比较小的特征尺寸和......
本文主要论述了根据B公司6英寸双极产品遇到的P+链电阻参数异常情况,以理论为依据,通过一系列实验所得到的数据,提出针对接触孔刻......
