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变组分高电子迁移率晶体管相关论文
0.25μm GaAs基MHEMT器件
采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs/InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT),测得其跨导为522mS/mm,沟道电流密度达4......
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铟铝砷/铟镓砷
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