0.25μm GaAs基MHEMT器件

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：learner1

【摘要】

：

采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs／InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT)，测得其跨导为522mS／mm，沟道电流密度达490mA／mm，截止频率为75GHz，比同样工艺条件下GaA

【作者】

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石华芬刘训春张海英石瑞英王润梅汪宁罗明雄

【机构】

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中国科学院微电子中心,中国科学院研究生院

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

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铟铝砷/铟镓砷变组分高电子迁移率晶体管赝配高电子迁移率晶体管 InAlAs/InGaAs MHEMT PHEMT

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采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs／InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT)，测得其跨导为522mS／mm，沟道电流密度达490mA／mm，截止频率为75GHz，比同样工艺条件下GaAs基InGaP／InGaAs PHEMT的性能有很大的提高．对该器件工艺及结果进行了分析，提取了器件的交流小信号等效电路模型参数，并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法．

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