开关速度相关论文
为了提高功率MOSFET的开关速度，从功率MOSFET的开关基理加以分析，以仿真实验与电路实验相结合的方法，研究出了功率MOSFET栅极的"过"......
近年来，随着电力电子技术的快速发展，传统的Si材料由于自身物理特性限制，以其为基底的电力电子器件已不能满足高效率、高功率密度和其......
作为仓储设备的重要组成部分,工业门在用户的心中经历了一个从不重视到重视的过程。随着物流设备智能化思潮的蔓延,工业门领域也开......
针对电光Q开关速度快的特点,提出基于射频场效应管电光调Q驱动电路的设计方法。通过选择电磁对称性器件,多个电容并联,元器件及走......
2014年9月意法半导体最先进的STripFETTMF7系列低压功率MOSFET产品新添三款100 V汽车级产品。STH315N10F7-2、STH315N10F7-6和STP3......
利用薄膜边缘的强电场，可以制成场致发射电子源，它已成为真空微电子学的一个重要组成部分。这种类型的边缘场发射体阵列，杂散电容低，很......
介绍了一种新型结构的整流二极管，即多晶硅／硅结构的二极管。从理论分析和实验结果表明，这种器件的反向恢复时间很短。
A new type o......
本文报导用于重复频率为４０ｐｐｓＮｄ：ＹＡＧ激光器电光Ｑ开关的二种驱动电路的设计和实验研究，并比较了这二种Ｑ开关电路的实验结果。
This paper reports......
本文介绍二氧化钒（ＶＯ＿２）的相变特性及制作工艺。作为应用的一个方面，可作保护红外探测器的ＶＯ＿２光阀。对ＶＯ＿２光阀的原理与设计作了讨论。
This art......
本文介绍了功率器件的发展过程，重点阐述了近年来出现的可关断晶闸管的结构，工作机理，及它们各自的特点。
This article describes t......
介绍了ｈｆｅ≥１２０００的两级功率达林顿器件的设计方法及关键技术。并对在１０Ａ比１ｍＡ的条件下实现低饱和压降的几项措施作了较详细的讨论。
The design......
激光二极管驱动器由美国三菱电子仪器公司电子器件小组提供的激光二极管驱动器系列最新产品的特点是节省功率控制的费用。这种单片......
电力电子器件是一门新学科和新技术。其主要参数向三维（高压、高频、大电流）方向发展。其结构主要是ＭＯＳ控制与ＢＪＴ和晶闸管的结合和逐步实现......
本文介绍了应用现行的ＰＳＰＩＣＥＶ５．０软件和ＣＡＤ优化技术，对亚微米电子束曝光机高速偏放电路的ＶＭＯＳＦＥＴ参数进行处理。针对电路中的关键参数：导通电阻、开关速度......
正在半导体产业探讨MOSFET向高性能、小型化方向发展的时候,SGS汤姆逊公司已开发出新型功率MOSFET技术。据称,这种叫做网格覆盖(M......
传送快脉冲的微带线Ｍａｒｃ Ｔｈｏｍｐｓｏｎ在很多实用电路中，快电流脉冲必须从印制板的一端传输到另一端，但是，由于互连线的电感需要进行端到端连接（图１），因此......
双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注．但对其作用机制，特别是正栅压下的开......
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)都能提供低损耗开关性能,但在驱动方法和保护措施方面有着明显区......
应用时间分辨技术研究了富勒烯溶液的激发态吸收瞬态功率光限幅特性,在实验条件下,其功率光限幅的开关速度约为5ns。
The time-re......
用半导体超晶格实现２５０ｆｓ全光开关日本电报电话公司（ＮＴＴ）研究人员已发展一种用于１．ｓｐｉｎ波长信号的光开关，据称这是半导体与选通器件中世界最快处理速......
IGBT自发明至今已将近15年,它仍一直有望在中等电压范围(400～600V)的各种应用中取代MOSFET功率管.但它们迄今还未能如愿以偿,基本原......
在一块印刷电路板上通过将自电光效应器件（ＳＥＥＤ）与ＧａＡｓ埸效应晶体管（ＦＥＴ）进行互连制作了一种简单的场效应晶体管－自电光效应器件（ＦＥＴ－ＳＥＥＤ）灵巧像素。这种灵巧......
本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状；对BSIT（BipolarStaticInductionTransistor）器件模型进行了理论分析；对BSIT器件的......
结合实际，着重对电压波形改善的技术以及脉冲生成电路和脉冲触发电路做了定性分析。
In combination with the actual situation, ......
通过使用等效电路法，利用国际通用电路模拟软件包PSPICE对新型的电力电子器件MCT进行特性模拟和分析，并对Harris公司的器件MCTV75P60......
对反射型ＧａＡｓ光控微波开关的结构、实验系统和特性参量进行了研究。实验测出该微波开关的插入损耗低于１ｄＢ，隔离度达到３０ｄＢ。用５０ｎｓ光脉冲照射开关，其......
给出一种用于中频感应加热装置的ＭＯＳＦＥＴ逆变电源．在ＭＯＳＦＥＴ的控制信号方面，提出了一种新的控制方法，即正弦波控制法，它能够自动地产生‘死区时间’，对......
设计建造了以辉光放电形成的等离子体作电极，通光口径为８０ｍｍ×８０ｍｍ的普克尔盒实验，实验检测了它的开关性能。阐述了普克尔盒的结构，辉光放电等......
一、MOSFET发展回顾 功率MOS场效应管相对于双极功率晶体管的优点,已为世人熟知,已被许多用户接受。十年来世界晶体管市场,功率MO......
针对功率ＭＯＳＦＥＴ的特点．介绍由多个三极管组成的组合式驱动电路．在逆变焊接电源上做了实验．验证了该方法的合理性．
For power MOSFET feature......
介绍了ＩＧＢＴ过流的特点和过流保护的特殊问题，给出了过流保护的方法和综合保护的方案，并进行了试验，还介绍了过流保护中的抗干扰措施
The ......
简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，对制作的２０Ａ／１０５０ＶＩＧＢＴ芯片进行了中子辐照实验，并对比了辐照前后器件的关断特性，发现辐照可提高器件的开关速度，但也导致......
使用 IPM代替传统变频器的功率级和厚膜驱动电路改造变频器 ,提出了使用智能功率模块应注意的几个问题 .
Using IPM instead of t......
根据激光烧结快速成型系统的要求，提出一种封离式ＣＯ２ 激光器的激光电源开关设计，并通过激光管内预燃电流，使激光动态响应时间达到激光烧......
VDMOS功率场效应管根据导电载流子的不同,分为N沟道和P沟道两类,其中以N沟道应用为多。下面以N沟道为例介绍VDMOS功率场效应管及......
提出了用于高频电力线路中的一种大功率软恢复二极管新结构。该二极管阳极由低注入效率的ｐ区及高注入效率的ｐ＋区组成。大电流下ｐ＋区的高......
SOI——突破硅材料与硅集成电路限制的新技术与体硅材料和器件相比,SOI具有许多独特的优越性,例如高开关速度、高密度、抗辐照、无......
飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为２００Ｖ的功率ＭＯＳ－ＦＥＴ器件。这种“硅ＭＡＸ”器件采用沟槽ＭＯＳ工艺，兼有大功耗和快速开关速度的性......
绝缘栅双极晶体管(IGBT),是第一代电力电子器件的代表性产品。经过近20年的发展,目前前市售IGBT系列产品耐压一般为600～1200V,电流......
