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器件参数波动相关论文
纳米小尺寸MOSFET中热载流子效应研究
可靠性问题始终伴随着超大规模集成电路(VLSI)的发展和应用。随着金属-氧化层-半导体场效晶体管(MOSFET)特征尺寸的不断缩小,热载......
学位
金属-氧化层-半导体场效晶体管(MOSFET)
热载流子注入(HCI)
器件参数波动
HCI退化机理
电子-电子散射(EES)
最坏应力条件
源漏串联电阻
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