本硕士论文是基于国家科技部重点基础研究发展规划项目（973项目）子课题“硅基宽带隙异质结构材料生长及器件研究” （2000年10月-2005年9月，No. G20000683-06）和国家自然科学基金（No. 60046001）的一部分研究工作。 近年来，宽禁带半导体材料GaN由于其在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注，发展十分迅速。由于GaN体单晶难以制备，生长高质量的薄膜单晶材料是研究开发GaN基器件的基本前提条件，同时器件的发展对电极的制备提出了更高的要求，因而研究金属电极与GaN的接触成为必然。 本论文系统分析了国内外GaN材料制备和器件应用的研究历史和现状，重点对硅基GaN薄膜材料和相关器件进行了研究。本文的主要工作是对金属与n型GaN的欧姆接触进行了研究，并在此基础上制备了硅基GaN上的紫外探测器和GaN肖特基二极管。 主要工作如下： 1、研究了Al单层及Ti／Al双层电极与n型Si基GaN和Al₂O₃基GaN在不同退火条件下的欧姆接触情况，并用X射线衍射谱（XRD），二次离子质谱（SIMS）对界面固相反应进行了分析。获得了比较低的欧姆接触率，并建立和完善了一套关于欧姆接触率测试的系统。 2、在GaN上实现了MSM结构的光导型紫外光探测器，并初步研究了其性能。并制成基于GaN的肖特基二极管，对其进行了初步研究。