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垂直入射式相关论文

下一代光刻技术的EUV光源收集系统的发展

当前半导体器件加工水平正在向22 nm方向发展,而最有希望实现这一尺寸的光刻技术即为EUV光刻技术。EUV光源所发出的13.5 nm辐射因......

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光刻 EUV 垂直入射式掠入射式收集效率内嵌式 WolterⅠ型 lithography EUV normal incidence grazing

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