WolterⅠ型相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

WolterⅠ型相关论文

下一代光刻技术的EUV光源收集系统的发展

当前半导体器件加工水平正在向22 nm方向发展,而最有希望实现这一尺寸的光刻技术即为EUV光刻技术。EUV光源所发出的13.5 nm辐射因......

期刊

光刻 EUV 垂直入射式掠入射式收集效率内嵌式 WolterⅠ型 lithography EUV normal incidence grazing

30层嵌套式WolterⅠ型掠入射光学系统设计

掠入射光学系统是X射线脉冲星自主导航系统的关键设备。首先介绍了单层WolterⅠ型掠入射光学系统的设计方法。以集光面积最大化为......

会议

X射线掠入射 WolterⅠ型嵌套式光学设计

看过本文同时还关注