本文采用多重场限环终端实现了一种高压4H-SiC肖特基二极管.基于Medici仿真计算结果、利用两环简化模型结构,给出了耐压6000V终端......

基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外......

采用多重场限环终端实现了一种高压4H-SiC肖特基二极管。基于Medici仿真计算结果,并利用两环简化模型结构,给出了耐压5 800 V终端......