肖特基势垒二极管相关论文
太赫兹波拥有众多优良的特点和巨大的应用价值,其在天文探测、大气遥感、材料科学、安全检测、生物医学、雷达系统、无线通信都有......
氮化镓（GaN）是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,在国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要中被确定为重点发展方向之一。GaN材......
氮化镓材料具有大的禁带宽度（3.4 eV）、高的击穿场强（3.3 MV/cm）,在高温、高压等方面有良好的应用前景.尤其是对于铝镓氮/氮化镓异质结......
第三代半导体材料碳化硅（Silicon Carbide,SiC）具有禁带宽度大、击穿场强高、中子俘获截面小和离位阈能高等特性,这使得SiC器件在航......
SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分，是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础。在梳理SiC功率器件发展概况的同时，针......
氧化镓（Ga2O3）材料作为新兴的超宽禁带半导体材料,由于其高达4.9eV～5.3eV的带隙产生的优良特性,如超高的巴利加优值、高的击穿电压等......
氮化镓材料具有大的禁带宽度（3.4 eV）、高的击穿场强（3.3 MV/cm），在高温、高压等方面有良好的应用前景．尤其是对于铝镓氮/氮化镓异质结构......
GaN电力电子器件具有高效率、小尺寸、低损耗的优势,近年来华为、小米等企业推出了100多款手机快充,并在电动汽车、激光雷达、包络......
氮化镓（Gallium Nitride:GaN）具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优越性能,还能与氮化铝（Aluminum Nitride:AlN......
随着信息技术的发展,无线电力传输作为一种重要的电源技术而引起了人们的广泛关注。肖特基势垒二极管（Schottky batrrier diode,SBD......
在220 GHz二次谐波混频器的设计基础上,提出中频传输波导的垂直转换结构,实现了四通道混频器集成模块方案,缩短了混频器单通道的横......
碳化硅(SiC)功率器件是一种理想的高压大容量电力电子器件,具有高阻断电压以及高电流导通密度的特点,在新能源开发、轨道交通、电......
采用微波等离子体气相沉积(MPCVD)在商用3 mm×3 mm×1 mm高温高压合成(HPHT)Ib型(100) 金刚石衬底上同质外延生长B掺杂金刚石薄膜......
为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD。基......
太赫兹波是指频率从0.1THz～10THz范围内的电磁波,其所具有的特殊性质使之在近年来受到广泛关注.本文介绍了一种太赫兹频段内220......
本文利用肖特基势垒二极管设计了一种D频段次谐波混频器.该混频器采用了DBES105a同向串联二极管芯片,电路制作在0.127 mm厚石......
本文借助于Silvaco数值分析工具,针对1200V系列平面型以及沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管进行了对比分析与优化设计.平面型结势垒......
为了研究离子注入边缘终端对准垂直GaN肖特基势垒二极管性能的影响,对器件进行了二维模拟仿真,分析了终端区域尺寸对肖特基结边缘......
近年来,AlGaN/GaN肖特基二极管具备开关速度快、击穿场强高、热性能好等优点,在电源开关领域具有重要应用价值,然而AlGaN/GaN SBD......
GaN作为第三代宽禁带半导体材料的代表,由于其禁带宽度大、临界击穿电场高、导热率高等优势,使其在功率半导体领域表现出巨大的潜......
移动电子产品、智能家电产品、光伏电站、数据中心、电动汽车等对高效率、大功率及紧凑型电源提出了越来越迫切的需求。以氮化镓(G......
提出了一种新型隐埋缓冲掺杂层(IBBD)高压SBD器件,对其工作特性进行了理论分析和模拟仿真验证.与常规高压SBD相比,该IBBD-SBD在衬......
本文设计了一种基于肖特基势垒二极管的290GHz二倍频器.该倍频器采用悬置微带探针输入和输出,为使馈电简单,没有采用平衡结构,总体......
本文利用肖特基势垒二极管设计了220GHz次谐波混频器.该混频器采用了VDI 反向并联二极管芯片,电路制作在0.127 mm厚石英基片上......
本文利用肖特基势垒二极管实现了150 GHz次谐波混频器.该混频器采用了反向并联二极管芯片,射频和本振信号都分别反向并联的加......
本文采用数值模拟的方法对4H-SiC 浮结肖特基势垒二极管的静态及动态特性进行了研究。该器件可以在保证高的反向耐压的同时使正向......
本文介绍了两种U波段鳍线单平衡混频器的设计过程并给出了测试结果。混频器使用Alpha公司的肖特基势垒二极管DMK2790，整个电路制作......
本文利用ADS软件建模对X波段肖特基势垒二极管倍频器进行仿真优化，研制的X波段15倍频放大链，输出中心频率9.2GHz，在1GHz带宽内，输出功......
本文设计了一种采用悬置微带线结构和肖特基势垒二极管构成的亚毫米波平衡二次倍频器.采用HFSS和ADS分析并进行优化,在180GHz-190G......
本文利用ADS软件建模对X波段肖特基势垒二极管倍频器进行仿真优化,研制的X波段9倍频放大链,输出中心频率9GHz,在900MHz带宽内,输出......
本文测量并计算了300K--500K温度范围内Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的伏安特性,测量值与计算值符合较好.由结果表明,高温时热......
该文介绍了一种运用反向并联对肖特基势垒二极管实现Ｗ频段宽带三倍频输出的设计方法。该倍频器组件可用于微波源的频谱扩展工作，在８７ＧＨｚ－１０４ＧＨｚ频......
该文对肖特基势垒二极管与无辐射介质波导（ＮＲＤ波导）的匹配结构与性能进行了分析与测试。用肖特基势垒二极管替代变容二极管，与ＮＲＤ波导耿氏振......
随着微电子技术和航空航天技术的发展,DC/DC转换器广泛应用于航天等辐射环境中,其在辐射环境下的可靠性保障问题成为人们研究的热......
金刚石薄膜具有优异的电学、光学、热学、机械性能和化学稳定性，同时耐高温、耐腐蚀并能抗强辐射，成为当前微电子器件在高频、高温、......
毫米波固态器件和电路是电子装备固态化、小型化、相控阵化和智能化的核心器件，也是无线通信和无线传感网络发展的关键器件，属于国家......
氮化镓材料由于禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高和电子饱和漂移速度快等优点，被认为是功率器件的首选材料之一。此外，氮化镓异......
该文用溅射金属-退火反应的方法制作了镍硅化物-硅肖特基二极管,采用了Ti和Co两种金属CAP层结构以提高镍硅化物的形成质量,使用了......
该文的主要工作在现有蒙特卡罗模拟平台的基础上,加入了二维肖特基接触模型,在二维全能带MC中实现了包括金属半导体接触中直接隧穿......
该论文主要从碳化硅肖特基势垒二极管器件的制备和模型,器件工艺的优化以及紫外光探测器原型器件的设计等三个方面进行了研究.首先......
金属-绝缘体-碳化硅(MISiC) 肖特基势垒二极管(SBD)高温气体传感器由于可以工作在高温下、体积小、功耗低、响应速度快、控制电路......
随着亚毫米波技术迅速发展，获得简易、可靠的亚毫米波源是重要的研究方向。倍频是获得亚毫米波信号的重要方法，基于肖特基势垒二极管......
随着温室效应以及能源短缺等问题的日益严重,寻找发光效率高的光源来降低照明领域的能源消耗变得日益迫切。发光二极管(LED)相对于......
