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稀磁半导体是指由过渡金属离子掺杂到半导体化合物中而形成的一种新型材料。其中,ZnO稀磁半导体是目前最有希望能够集成到传统半导......
采用反应磁控溅射法制备了Fe掺杂的SnO2薄膜.沉积衬底为（100）的单晶硅,基片温度270℃,Ar为溅射气体.使用XRD,AFM和VSM研究氧分压对薄......
采用高温固相反应法制备出了（In0.9-xFe0.1Nix）2O3（x=0～0.03）。使用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、振动样品磁强计（VSM）分析了样品的微结构......
