射程分布相关论文
报道了液氮温度下He 离子注入iNbO3波导的制备，采用棱镜耦合法测量了波导退火前后各导模的有效折射率，计算了波导层折射率的分布和晶......
报道了液氮温度He＋离子不同的注入能量和剂量条件下ＫTIOＰO4晶体波导的制备, 利用m线光谱法测量了退火后波导各导模的有效折射率, 计算......
本文用ｘ射线双晶衍射法测量了注入能量为１４０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１４～１×１０１６ｉｏｎ／ｃｍ２，退火温度为５００℃～７００℃的Ｃ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．在多层模型和试探畸变分布函数的基础上，用ｘ射......
报道了液氮温度Ｈｅ＋离子不同的注入能量和剂量条件下ＫＴｉＯＰＯ４晶体波导的制备，利用Ｍ线光谱法测量了退火后波导各导模的有效折射率，计算了波导层折射......
报道了液氮温度下Ｈｅ＋离子注入ＬｉＮｂＯ３波导的制备，采用棱镜耦合法测量了波导退火前后各导模的有效折射率，计算了波导层折射率的分布和晶体中Ｈｅ＋离子......
应用阻抗谱，结合阻温特性测量分析铜离子注入（１１０ＫｅＶ，６×１０１５和１×１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２）半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷的ＰＴＣＲ特性。结果表明，注入剂量较低时，可以提高材料的ＰＴＣＲ效应。认为注入的铜离......
本文概述了离子注入枝术的物理过程和基本原理,介绍了国外在离子注入表面改性方面所取得的主要研究结果及其在宇航工业中的应用和......
一、引 言 七十年代初,Hartley等人发现了金属表面处理的离子注入法[1,2].他们用N+,C+,B+等离子轰击各种钢材,发现经离子轰击后,钢......
用热氧化的方法在Ｓｉ片上制备了不同厚度的ＳｉＯ２薄膜，把能量１００ｋｅＶ和１８０ｋｅＶ的７５Ａｓ离子分别注入上述衬底，用２．１ＭｅＶ的４Ｈｅ离子对注入后的样品作了背散射分析，测出了７５Ａｓ在样品中......
用卢瑟福背散射／沟道技术研究了３５０ｋｅｖＹｂ＋注入Ｓｉ（１００）所产生的表面非晶层在不同快速热退火温度下的固相外延结晶过程．实验结果表明，在８００℃－１０００℃的快速热退火......
用３５０ｋｅＶＹｂ~＋在室温下注入了单晶硅，并用卢瑟福背散射／沟道技术测量了注入离子在硅中的射程分布谱和晶格损伤谱。用表面能量近似和平均能量近......
介绍了自主开发的基于输运理论和蒙特卡罗方法的计算离子注入射程分布的软件集成系统JTU -PRII(JiaotongUniversity -ProjectRange......
本文在LC—1离子注入机的实验条件下(30SS～80Kev),测量了B~+沿紊乱方向入射单晶靶的平均投影射程RP和标准偏差(?)RP的实验值,并通过......
A J5960—A 型离子注入机注磷技术研究一、引言J5960-A 型离子注入机是4503厂早期生产的60keV 离子注入机,其生产厂家和用户至今......
本文介绍用2.0兆电子伏的He~+离子反向散射测量技术来测定能量为150～300千电子伏的锌、镓、砷、硒、镉、碲离子注入到SiO_2、Si_3N_......
序言这里首先阐明离子注入的含义和意义,然后指出其特点和优缺点,进而回顾过去,介绍现状及应用,最后瞻望其将来,使读者对离子注入......
本文介绍了高能离子注入的射程分布、损伤分布及退火,最后介绍了高能离子注入的主要用途。
This paper introduces the range dis......
北京大学初步建成能量直至兆电子伏级的离子加速器——离子注入设备系统。本文总结了北大重离子物理所离子束应用组几年来开展离子......
在９２和７１ＭｅＶ１６Ｏ离子与１１５Ｉｎ的相互作用中，用核化学技术测量了２０个反应余核的角分布和微分射程分布．分析了这些余核的生成特征，指出随着碰撞参数的增加，反......
低能离子输运的一个重要特点是它有可能被一个简单的参数所确定，我们发现离子的标度输运截面即是具有这种重要性质的参数。这种单值......
在该论文的工作中,我们研究了铋离子和氟离子在系列多元材料中的射程分布和电子阻止本领,包括以下几个方面的内容:1、在第二章和第......
该文采用共振能量为E=872.1keV,共振宽度为Γ=4.2kvV的F(P,αγ)O共振核反映,测量了50~350keV的F离子注入KTP、KTN、LiNbO中的投影......
本文利用卢瑟福背散射/沟道技术(RBS/C)对稀土族元素铒离子和钕离子注入SiC晶体和Si晶体中的射程分布和损伤分布及退火行为进行了......
介绍了自主开发的基于输运理论和蒙特卡罗方法的计算离子注入射程分布的软件集成系统JTU-PRII(JiaotongUniversity-ProjectRangeIo......
期刊
伴随着离子束生物技术的广泛应用,国内许多单位开展了低能离子注入植物种子的实验研究.其中关于低能离子注入植物种子诱变的物理机......
计算了15 keV N+和Ar+注入聚醚砜薄膜的射程分布和能量淀积分布,利用计算的结果说明了离子注入聚醚砜膜后,薄膜表面电导率增加(增......
我国科学工作者率先将低能重离子束成功地应用于作物诱变育种,并建立了能量、质量和电荷三因子作用机制体系,但至今有关理论射程很......
<正> In order to investigate the mechanism of mutation induced by ultralow energy heavy ions, range distribution of the ......
介绍了自主开发的基于输运理论和蒙特卡罗方法的计算算子注入射程分布的软件集成系统JTU－PRII（Jiaotong University-Project Range I......
用400keV能量的铒离子垂直注入晶体硅（Si）样品中。利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400keV、剂量为5×10^15ions／cm^2的铒离子注......
<正> Brice在1970—1975年给出离子注入射程分布所满足的方程: 其中,P(E,E′,R)是初始能量为E的离子当其能量下降为E′(0≤E′<E)......
文章用Brice的理论对O~+注入GaAs进行了计算和讨论。计算给出了氧离子注入GaAs的射程分布与能量淀积分布;计算中发现在x为小值处的......
鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散对器件性能的影响,应用卢瑟福背......
采用110 keV 56Fe1+离子束垂直注入小麦种胚后, 将小麦沿腹面的纵沟掰开, 形成剖面, 将剖面水平朝上粘贴在金属铜托上, 用扫描电镜......
介绍了自主开发的基于输运理论和蒙特卡罗方法的计算离子注入射程分布的软件集成系统JTU -PRII(JiaotongUniversity -ProjectRange......
本文报导了液氮温度下Ｈｅ＾＋离子注入ＬｉＮｂＯ３波导的制备，采用棱镜耦合法测量了波导退火前后各导模的有效折射率，计算了波导层折射率的分布和晶体中......
测定了未注入掺碘聚醚砜(PES)膜和离子注入掺碘PES膜的红外光谱,发现两者红外光谱不同.离子注入使掺碘PES膜的C-S键和C-O键断裂,但......
研究表明,TRIM程序运算结果与实验测量离子注入种子的射程分布数据相差甚远.本文根据种子微结构的特点,综合考虑多种因素,设计种子......
本文采用蒙特卡洛方法模拟低能Si~+离子注入GaAs单晶的力学运动,以此考察了低指数轴沟道,高指数轴沟道和平面沟道的沟道效应对射程......
高功率窄脉冲毫米波返波管粒子模拟与实验研究;北京X射线自由电子激光试验装置（BTF）磁压缩器中微束团不稳定性的研究;用MXAN拟合钩端......
氧化锌(ZnO)是优良的宽禁带半导体光电材料,成为继GaN之后光电领域研究的热门,ZnO相关产业将有广阔的应用领域和市场前景。稀土元......
本文采用计算物理方法来处理离子注入问题。计算机模拟方式采用MonteCarlo方法。本文将各种复杂组成和各种复杂结构的靶材料归结为......
