退火行为相关论文
纳米金属因其独特的结构和优异的性能而备受关注,其塑性变形机制及其微观结构不稳定性是当前纳米材料领域研究的热点,但仍存在诸多......
与裂变径迹定年一样,利用alpha反冲径迹也可以定年,而研究其退火行为是建立定年方法的必需内容.然而,目前此项研究是alpha反冲径迹......
钽（Ta）是一种典型的过渡族难熔金属，为体心立方晶体结构，具有较高的熔点、密度、抗腐蚀性及优异的延展能力。由于其独特的物理化学性质......
近年来高K材料在Ge衬底上的生长及性质研究引起了人们越来越多的兴趣.本文研究了Er2O3薄膜在Ge衬底上的生长及性质.本文利用导电原......
本文研究了国产商用MOSFET在0.01.1、50 rad(Si)/s三种剂量率条件下的电离辐照效应及退火特性.结果表明,由于辐照感生的氧化物电荷......
高温、高压和腐蚀等复杂的工作环境对齿轮的服役性能提出了更高的标准,因此拥有高硬度、良好的耐磨性以及耐蚀性等复合性能已经成......
在高纯半绝缘材料中，材料的半绝缘性能是由材料的本征缺陷所决定，本征缺陷不仅影响载流子的输运特性，同时对浅能级杂质补偿也具有重要......
本文报道a-Si:H Pin太阳电池的1MeV1.4～8.4×10cm电子辐照实验结果.测量了电子辐照对a-Si:H太阳电池光暗J-V特性的影响,以及它们的......
对含N薄栅MOS电容进行了Co-60γ辐照和100℃恒温退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中N的引入，能明显抑制辐射感生Si/SiO界面态的产......
采用快速热退火对外延SiGe/Si合金样品进行热处理。用双晶X-ray衍射，Raman，RBS分析样品的应变及组分变化。结果表明大组分（＞0.3）合金在......
该文通过利用等截面挤压(ECAE)、累积叠轧(ARB)及常规冷轧(CR)等塑性变形方法对工业纯铝材料进行超大塑性变形来获得超细晶材料；通......
近年来，纳米结构金属因其优异的性能及独特的结构-性能关系受到广泛关注。然而纳米材料晶体缺陷密度高，晶粒长大的驱动力大，导致其热......
由于具有更高的不可逆场和高磁场下的优异导电性能等优点，第二代高温超导涂层导体成为目前各国竞相研发的热点。用于涂层导体的金属......
自组织InAs量子点的生长和物性表征,是目前低维半导体物理研究领域一个前沿课题.该论文较为深入地研究了量子点的多层垂直相关生长......
该工作使用兰州重离子加速器(HIRFL)提供的112MeV和750MeV Ar离子分别在低于50K的温度和室温下辐照了取向、厚度约为320μm的单晶S......
SiC优越的高温力学性能、高温化学惰性、低感生放射性和低中子捕获截面以及禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱和漂移速度......
对脱碳退火后的低碳(LC)和超低碳(ULC)无硅电工钢的磁性进行了研究.低碳钢种在平整轧制条件下的磷含量有两个等级(0.013%和0.088%)......
Annealing behavior, at different annealing temperatures, of an ultrathin Mo layer located between a Ti film and Si subst......
Investigations on surface decomposition of GaN implanted with low energy (80 keV) Eu ion to a low dose (l×1014 cm-2......
矿物中U、Th及其子核进行α衰变释放出α粒子时，剩余重核受到反冲而产生辐射损伤。在适当的条件下经化学蚀刻，这些辐射损伤成为在相......
在注入能量为100keV时,将注入剂量为5.3×1016/cm2的Ge+注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快......
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本文利用原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射等分析手段研究了反应射频磁控溅射截然不同的阶段,其临界转变温度在790℃附近......
在2618铝合金的基础上，添加Sc,Zr，降低Cu量，配制实验合金，采用金相，X－射线衍射，透射电镜，硬度测量等手段，研究了实验合金冷轧板材经不同温度......
在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品，并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退......
在成长得当、照耀电子的 6H-SiC 晶片的缺点形成和退火的行为被可变精力的慢正电子横梁调查。为n类型成长得当的样品，那退火，被发现......
采用原位反应合成技术制备了Cu-1.12wt%Al2O3合金。通过力学性能测量、断口形貌观察及显微组织结构表征,系统研究了该合金的退火行......
用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文......
研究了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜退火后形成花样的分布及其分维。单个分形枝叉的疏密可用简单分维定量描述。多重分形谱可以很好地定量描述了多个分形......
对NTD Si进行了350～1200℃等时(1h)退火,发现在800～950℃范围内电阻率低于真实电阻率,说明有施主产生。研究了这种施主与CZ-Si中的热......
采用铸锭冶金法，制备了Al-5.5Mg、Al-5.5Mg-0.25Sc、Al-5.5Mg-0.4Mn、Al-5.5Mg-0.04Ti、Al-5.5Mg-0.25Sc-0.4Mn和Al-5.5Mg-0.25Sc-0......
本文采用粉末冶金法制备了不同W含量的Ta-W合金坯锭,并通过多次中间退火和冷轧,最后得到不同厚度的Ta-W合金箔材。通过光学显微镜......
本论文采用连续铸轧技术制备了AZ31B镁合金板坯,并利用光学显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能谱分析、X射线衍射分析、......
