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以GaAs基异质结双极性晶体管（HBT）单片微波集成电路（MMIC）为例，研究了器件内部的热生成机制．包括：确定器件内部的热生成机制及热生成区的位置，讨论器件内部热传导和热耗散的形式，建立器件的详细3D实体模型。利用有限元软件ANSYSWorkBench，对已确定的热生成区进行热功耗加载，以便更加精确地模拟器件的峰值结温。