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形变的SiGe合金中的深能级
该文对生长在Si,Ge及共合金衬底上形变的Si1-xGex合金中由替位原子或空位缺陷产生的能级进行了研究。其中形变合金电子的用经验的紧束缚方法进行......
期刊
替拉缺陷
深能级
形为
硅/锗超晶格
替位杂质
substitutional defect
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strain
Green's f
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