微波功率管相关论文
本文主要对当前微波系统内功率管的失效性进行分析,不仅对微波功率管的内部机理的失效性进行分析,同时还对系统内部的微波功率管的......
利用硅功率双极晶体管(Si BJT)的小信号S参数及瞬态I-V特性的测量数据,本文提出建立一种BJT大信号分析模型及其内匹配电路设计方法......
本文针对微波功率管在老化试验中出现的失效现象进行分析,对于改进微波功率管的设计和工艺,提高器件的可靠性具有一定意义.......
末级组件是雷达发射机的关键部件之一,长期工作的可靠性非常重要.微带板安装技术、微波功率管的装配技术以及其它一些关键装配技术......
微波功率管正在微波通信、移动通信、卫星通信、雷达导航等领域得到越来越广泛的应用。它常常工作在很高的频率,功率较大,而且往往......
为评价、分析与保证产品的可靠性水平而进行的试验即为可靠性试验其试验范围较广主要为三大类：即工艺筛选试验、环境试验及寿命......
1994年,成立才一年的航天九院,正在京召开一个规格很高的部级技术鉴定会,国防科工委副主任张学东、中国科学院陈芳允、罗沛霖、王......
介绍了单管５Ｗ大栅宽多胞微波砷化镓ＭＥＳＦＥＴ器件的优化设计、关键工艺的创新、器件特性测试等，特别是器件具有高反向击穿电压和耐大电流的特性......
提出了一种计算ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ器件小信号等效电路的简单方法。本征元件由传统解析参数变换技术计算，且作为非本征元件的函数。高效电路由集中元......
对于新型Ｎ＾＋ＩＰ发射结结构的微波功率管，采用一维数值模拟，分区计算了它的渡越时间，结果表明其截止频率的小电流特性可以获得明显的改善。......
该文介绍了微波辐射防护的理论知识和安全标准，以及微波功率管测量系统的配置和测量流程。对测量系统的微波电磁辐射进行了分析，列举......
由于大功率全固态电子设备在体积、性能和可靠性方面的优势，微波功率管将逐步取代行波管在雷达发射机中的核心地位。随着微波功率管......
分别选用南京电子器件研究所研制的1.25mm栅宽GaN HEMT和12mm栅宽GaN功率管,对小栅宽器件进行三温直流加速寿命试验,评估其直流工......
报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出......
针对微波功率管在温度循环试验中出现的引脚脱落故障,通过力学仿真进行故障复现和失效机理分析,确定了功率管底座与盒体材料的热膨......
文章主要介绍了已研制的C波段5.2～5.8GHz 4W GaAs MESFET功率管制作技术,包括将匹配网络等效电路元件参数换算成集总和分布式元件的......
采用GaAs标准MMIC工艺制作了具有片上RC并联稳定网络的InGaP／GaAsHBT微波功率管单胞．依据K稳定因子，RC网络使功率管在较宽的频带内具......
报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降......
报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出......
通过解决温度提升、温度稳定控制、寄生振荡抑制等关键问题,使砷化镓PHEMT功率器件的高温加速寿命试验得以实施。经过2 832h试验,......
全固态发射机功耗大、产生的热量高,安装于方舱内时因空间狭小、设备密集导致各组件和机柜温度不均匀、冷却效果差.文中通过对功率......
本文研究了国产7205聚脂胶分辨率与胶膜厚度的关系。初步实验证明对于国产7205聚脂胶,分辨率是膜厚的5～6倍。同时研究了针孔与膜厚......
