微粗糙度相关论文
通过电化学和化学机械抛光实验,研究了铜互连CMP中低浓度缓蚀剂BTA和非离子表面活性剂O-20复配对Cu电化学腐蚀及去除速率的影响,同......
１９９５～２０１０年ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ对原始硅材料的要求１９９５０３５μｍ１９９８０２５μｍ２００１０１８μｍ２００４０１３μｍ２００７０１０μｍ２０１０００７μｍ晶片直径（ｍｍ）（Ａ）２００２００３００３００４００４００规格参数（在９５...
1995 ~ 2010 VLSI / ULSI requirements of the original ......
采用金刚石膜电极的电化学方式在专用水基清洗剂中不断产生强氧化剂过氧焦磷酸根离子(P2O84-),并将此方式作为金刚石膜电化学清洗......
以获得高去除速率和低表面粗糙度为目标,建立了基于纳米氧化铈-硅溶胶复配混合磨料新模式。采用小粒径、低分散度的30 nm氧化铈-硅......
应用在大能量多元件红外系统的光学元件的公差比那些通常使用在可见光谱区的高质量光学系统的光学元件的公差要求更为严格。此外,......
本文简述了测量软X射线散射的原理及实验方法。介绍了利用微型计算机对测量过程实施控制的工作。由于较好地安排了D+7AI/0数模转换......
叙述了一种用椭偏技术快速测量表面微粗糙度的方法，推导了在单层膜模型下微粗糙表面的反射特性，给出了根据椭偏测量所得位相差△值估......
１ 引言 为了降低新一代更小、更快、更廉价空间飞行任务和地基应用的望远镜成本，需使用大口径甚轻量光学元件。望远镜的核心是主......
在中国科学院重大科研装备研制项目的资助下,力学所国家微重力实验室靳刚课题组成功研制出“光谱椭偏成像系统”及其实用化样机。......
研究了天然单晶金刚石刀具对铜、铝合金进行超精切削加工时,材料的组织、性能与残余应力对表面质量如反射率、面形、显微粗糙度等......
该论文采用原位拉曼光谱技术和原子力显微术(AFM),对大直径硅抛光片表面组织形貌和化学键在稀氢氟酸(DHF)、HF/HO/HO、HF/NHF/HO(B......
月球表面是粗糙面,既存在地形起伏的大尺度粗糙度,也存在微小尺度的粗糙度。目前国内外关于微尺度粗糙月面对月壤微波辐射亮温的影......
硅表面微粗糙度对于现代微电子工艺是一个非常重要的参数.本文综述了硅片表面微粗糙度的研究进展,讨论了微粗糙度的测量和产生机理......
综述了碲镉汞分子束外延所用的si衬底的传统RCA清洗方法和改进的RCA清洗方法的机理、清洗特点和清洗局限.最后介绍了碲镉汞分子束......
叙述了一种用椭偏技术快速测量表面微粗糙度的方法，推导了在单层膜模型下微粗糙表面的反射特性，给出了根据椭偏测量所得位相差△值估......
3-氨丙基三乙氧基硅烷（APTES）是一种常用的表面修饰剂,通过化学键合的方式覆盖在硅结构表面形成APTES膜层,用以链接功能性生物分子。......
文章对大直径表面平整度检测中的纳米形貌概念作了说明，对纳米形貌与平整度、微粗糙度及比较作了叙述，指出了纳米形貌的形成原因及影......
采用金刚石膜电极的电化学方式在专用水基清洗剂中不断产生强氧化剂过氧焦磷酸根离子（P2O8^4-），并将此方式作为金刚石膜电化学清洗工......
文章对大直径表面平整度检测中的纳米形貌概念作了说明,对纳米形貌与平整度、微粗糙度及比较作了叙述,指出了纳米形貌的形成原因及......
当前,硅外延片作为制备功率MOS等器件的关键支撑材料,对其表面的结晶质量有愈加严格的要求。硅外延片表面一旦存在雾状缺陷也就意......
通过对单晶硅外延表面反应机理和表面测试分析,发现抛光片表面粗糙程度对外延后0.12 um颗粒分布有影响。表面微粗糙度Ra在0.5~0.8 ......
利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响,并通过建立表面氧化过程的分子模型和氧化层模型来进行相......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
期刊
快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布.空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4h+1000℃,16h)后生成的洁净区......
本文阐述了基于电偶极子辐射模型的矢量散射理论及以光散射法测量表面微粗糙度的基本原理;介绍了基于该理论研制而成的光散射空间......
随着IC产业的迅猛发展，电子器件的最小尺寸正在变得越来越小。当前，45nm工艺的芯片已经能够被大量的生产。众所周知，器件的最小尺寸主......
通过显微组织观察、WM-7S wafer surface analyzer设备检测对硅片表面粒子缺陷及微粗糙度进行了研究,并对精抛中各工艺参数下硅片......
简单说明了清洗技术在90～65nm节点技术阶段的新发展,着重介绍了一种新的清洗技术—低温冷凝清洗技术产生的背景、技术现状及其应用,......
