掺杂状态相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

掺杂状态相关论文

IB族元素在ZnO中掺杂状态及其对ZnO性能影响的研究

ZnO是一种II-VI族的直接带隙宽禁带半导体材料，室温下带隙宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。此外, ZnO还具有机电耦合性能好、储量......

学位

磁控溅射 IB族元素掺杂 p型ZnO薄膜掺杂状态 X射线光电子能谱

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