掺杂对于薄膜光电学性能的改善具有重要意义,通过不同的掺杂,可实现不同的光电学性能需求。综述了掺杂薄膜的制备方法和光电学性能......

　　ZnO为直接带隙的半导体,室温下禁带宽度约为3.4eV,在可见光区透明,在光电子器件中有重要应用.掺杂可以调节ZnO的光、电及磁等......

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研究了掺Ａｇ和Ｐｔ的ＳｎＯ〈，２〉超微粒薄膜在不同的酒精气体中的透射光谱。掺杂薄膜在大气中经４００℃，１ｈ退火后，膜的光透射率均随酒精浓度的增加而减小，浓......

采用ｓｏｌ－ｇｅｌ浸渍涂布方法在ＡｌＯ陶瓷衬底上制备ＳｎＯ气敏薄膜及元件，分析了掺杂薄膜的结构、成份和表面形貌，测试了薄膜元件的气敏特性。元件在......

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本文利用溶胶—凝胶(Sol-Gel)法成功的在LNO/Si衬底上制备了Pb(ZrTi)O3、PbLa(ZrTi)O3及PbNi(ZrTi)O3薄膜材料，研究了材料在不......

本论文研究的是类钙钛矿材料CaCu3Ti4O12(CCTO)。此材料在低频下有巨介电常数(～10,000)，且在相当宽的温区(100-400K)内介电常数保持......

对用混合材料制备的掺杂 ZnS 和 TiO_2薄膜的研究方面做了些工作,发现3价或5价的金属氧化物能提高 TiO_2薄膜结构的稳定性、通过对......

将离子掺杂TiO2涂层方法和耦合另外一种具有电子储存能力的半导体氧化物方法相结合,在碳钢/Ni-P-SnO2、碳钢/Ni-P-WO3表面制备Ni、......