Sn掺杂ZnO膜的共溅射制备及性能研究

来源 :中国真空学会2012学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：asas123456123456

【摘要】

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　　ZnO为直接带隙的半导体,室温下禁带宽度约为3.4eV,在可见光区透明,在光电子器件中有重要应用.掺杂可以调节ZnO的光、电及磁等性能.ZnO已被掺入Sn等杂质元素,但大多集中在

【作者】

：

叶凡蔡兴民钟雪刘朋鹃张东平范平罗景庭

【机构】

：

深圳大学物理科学与技术学院及深圳市传感器技术重点实验室,广东深圳,518060

【出处】

：

中国真空学会2012学术交流会

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

：

掺杂薄膜 ZnO膜溅射制备光电子器件直接带隙杂质元素热电性能纳米结构

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　　ZnO为直接带隙的半导体,室温下禁带宽度约为3.4eV,在可见光区透明,在光电子器件中有重要应用.掺杂可以调节ZnO的光、电及磁等性能.ZnO已被掺入Sn等杂质元素,但大多集中在包括纳米线及纳米棒等纳米结构上.溅射是一种重要的制备及掺杂薄膜的方法,目前没有见到共溅射制备Sn掺杂的ZnO膜(ZnO：Sn)的报道；另外,ZnO：Sn的热电性能也没有见到报道.

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