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随着半导体技术的快速发展,传统晶体管器件的特征尺寸不断微缩到达物理极限,实际发展速度已经落后于摩尔定律的预测速度,这对半导......
为顺应集成电路设计对器件提出更高性能要求的趋势,提出一种高性能折叠I型栅无结场效应晶体管,主要研究此类产品在不同栅极长度下......
根据摩尔定律（集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍），集成电路的基本单元MOSFET的尺寸会越来越小，随之而来不仅在制......
为顺应集成电路设计对器件提出更高性能要求的趋势,提出一种高性能折叠Ⅰ型栅无结场效应晶体管, 主要研究此类产品在不同栅极长度......
