【摘 要】
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根据摩尔定律（集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍），集成电路的基本单元MOSFET的尺寸会越来越小，随之而来不仅在制作工艺上的难度加深，短沟道效应也愈发凸显，功
【机 构】
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沈阳工业大学信息科学与工程学院,国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
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根据摩尔定律（集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍），集成电路的基本单元MOSFET的尺寸会越来越小，随之而来不仅在制作工艺上的难度加深，短沟道效应也愈发凸显，功耗也越来越大。为了解决以上问题，无结场效应晶体管（JunctionlessFieldEffectTansistor）被广泛提出。该器件的源、漏沟道具有相同的掺杂类型和掺杂浓度，沿着沟道方向，不存在“结”。研究结果表明，无结场效应晶体管具有开关比高、沟道迁移率高等优点，并有效抑制了短沟道效应。该论文利用三维数值模拟软件SILVA
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