日盲探测器材料相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

日盲探测器材料相关论文

Be,Mg掺杂ZnO基半导体材料的结构及电学性质的理论研究

ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体材料,其室温下带隙宽度为3.37 eV,并且激子束缚能高达60 meV。这些优异的光学性能使ZnO在紫外（UV）光......

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ZnO BeMgZnO 合金能带调节日盲探测器材料相分离迁移 p-type掺杂受主离化能

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