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ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体材料,其室温下带隙宽度为3.37 eV,并且激子束缚能高达60 meV。这些优异的光学性能使ZnO在紫外(UV)光......
采用第一性原理计算方法,通过改变Zn1-xBexO合金中Be的浓度及其掺杂位型,研究N在Zn1-xBexO合金中的形成能和受主离化能,分析了p型......