介绍了用MBE法生长SiGe／Si新材料的无氧外延表面等关键技术，并据此外延生长出本征和掺杂Si1-xGex／Si材料。其测试结果与分析表明，该合......

介绍了用ＭＢＥ法生成ＳｉＧｅ／Ｓｉ新材料的无氧外延表面等关键技术。并据此外延生长出本征和掺杂Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ 测试结果与分析表明，该合金材料有效组成成分和电学......