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介绍了用ＭＢＥ法生成ＳｉＧｅ／Ｓｉ新材料的无氧外延表面等关键技术。并据此外延生长出本征和掺杂Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ 测试结果与分析表明，该合金材料有效组成成分和电学参数理论设计目标。利用该材料试制成功了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ－ＰＭＯＳ器件。
Si1—xGex／Si材料外延生长技术
【摘 要】
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介绍了用ＭＢＥ法生成ＳｉＧｅ／Ｓｉ新材料的无氧外延表面等关键技术。并据此外延生长出本征和掺杂Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ 测试结果与分析表明，该合金材料有效组成成分和电学参数理论设计目标。利用该材料试制成功了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ－ＰＭＯＳ器
【机 构】
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电子科技大学微电子科学与工程系,四川固体电路研究所
【出 处】
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电子科技大学学报
【发表日期】
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1999年5期
【基金项目】
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国防科工委预研基金
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