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有机物化学气相淀积相关论文
Ⅲ族氮化物InAlN半导体异质结研究进展
由于高频大功率固态微波功率电子器件有明显的应用前景,在过去二十年氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)得到广泛研究,取得了......
期刊
化合物半导体
高电子迁移率晶体管
InAlN/GaN异质结
晶格匹配无应变
脉冲式金属
有机物化学气相淀积
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