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脉冲式金属相关论文

Ⅲ族氮化物InAlN半导体异质结研究进展

由于高频大功率固态微波功率电子器件有明显的应用前景,在过去二十年氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)得到广泛研究,取得了......

期刊

化合物半导体高电子迁移率晶体管 InAlN/GaN异质结晶格匹配无应变脉冲式金属有机物化学气相淀积

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