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AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（AlGaN/GaN HFET）具有高击穿电压,高电子迁移率和低导通电阻等优越特性,已经成为国内外研究的热点。然......
为提高器件的击穿电压,提出了一种具有间断场板和栅下极化层结构的常开型AlGaN/GaN HEMT.分析了器件击穿电压提高的机理.优化了器......
作为第三代半导体材料的典型代表,氮化物材料在击穿电场、电子饱和迁移速度、热导率、抗辐射以及能量弛豫时间等方面具有更大的优......
以Cole-Cole模型作为IP效应极化模型，研究了CSAMT中存在两层极化层时IP效应对视电阻率的影响，并与一层极化层时IP效应产生的影响作了......
