【摘 要】
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为提高器件的击穿电压,提出了一种具有间断场板和栅下极化层结构的常开型AlGaN/GaN HEMT.分析了器件击穿电压提高的机理.优化了器件结构参数.结果 表明,该常开型AlGaN/GaN HEMT的击穿电压从仅有单一场板时的1187V提升到了1573V.该新型结构能够保证AlGaN/GaN HEMT在高压条件下正常工作,极大地提高了器件的击穿性能.
【机 构】
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西南交通大学微电子研究所,四川成都611756;四川美阔电子科技有限公司,四川遂宁629000
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为提高器件的击穿电压,提出了一种具有间断场板和栅下极化层结构的常开型AlGaN/GaN HEMT.分析了器件击穿电压提高的机理.优化了器件结构参数.结果 表明,该常开型AlGaN/GaN HEMT的击穿电压从仅有单一场板时的1187V提升到了1573V.该新型结构能够保证AlGaN/GaN HEMT在高压条件下正常工作,极大地提高了器件的击穿性能.
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