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由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术......
在实验室天体物理研究中,电子束离子阱(EBIT)是极端紫外(EUV)和X射线波段能谱分析的重要实验平台,其中EBIT中心残余的中性气体对离......
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<正>伴随着大量的新闻发布,Cymer公司在SEMICON West 2007期间宣布其在极紫外线(EUV)光刻光源上的成功。光刻设备供应商ASML已经选......