分辨率增强技术相关论文
光刻是将集成电路器件的结构图形从掩模转移到硅片或其他半导体基片表面上的工艺过程，是实现高端芯片量产的关键技术。在摩尔定律的......
多参数联合优化是光刻分辨率增强技术的发展方向。提出了一种以光刻胶三维形貌差异为评价目标的光刻多参数联合优化方法。以多个深......
光刻光源优化作为必不可少的分辨率增强技术之一,能够提高先进光刻成像质量。在先进光刻领域,光源优化的收敛效率和优化能力是至关......
随着集成电路特征尺寸进入2Xnm及以下节点,光源与掩模联合优化(SMO)成为了拓展193nm ArF浸没式光刻工艺窗口、减小工艺因子的重要......
提出了一种基于多染色体遗传算法(GA)的像素化光源掩模优化(SMO)方法。该方法使用多染色体遗传算法,实现了像素化光源和像素化掩模......
近场声全息技术是一种先进的噪声源识别、定位及声场可视化技术，本文利用近场声全息对变频空调室外机的压缩机特征噪音和风扇特......
近年来,随着人工智能的兴起,机器学习和稀疏表示被越来越多的应用于信号处理领域。受自然光学图像超分辨率技术的启发,本文尝试将......
提出了一种全芯片光源掩模联合优化的关键图形筛选方法,用图形的主要频率表征图形的特征,用主要频率的位置和轮廓信息描述主要频率......
光刻是极大规模集成电路制造的核心工艺，光刻分辨率决定集成电路的特征尺寸。光源掩模优化(Source Mask Optimization，SMO)技术被认......
分辨率增强技术是光学光刻中用来实现高分辩光刻成像质量的重要手段，主要包括离轴照明、相移掩模、邻近效应校正、偏振照明四种技术......
作为推进半导体产业不断发展的核心技术，光学光刻从出现以来就在集成电路生产中扮演着重要的角色。根据2004年12月ITRS发布的光刻技......
为了满足超大规模集成电路特征尺寸不断缩小的要求,激光投影光刻技术得到了迅速发展,而不断提高光刻分辨率正是光刻技术发展的核心......
毫米波无源成像技术是利用目标与背景在毫米波段的辐射特征差异来实现成像的技术。相比于红外成像，由于毫米波段电磁波可以穿透云雾......
全芯片多参数联合优化是光刻分辨率增强技术的重要发展方向。提出了一种基于粒子群优化(PSO)算法的光源掩模投影物镜联合优化(SMPO......
根据国内外研究和发展现状 ,对有望突破 1 0 0nm超精细图案光刻分辨率的一些关键技术进行了阐述 ,其中包括曝光技术、掩模技术、光......
介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米“T”型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻......
首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了......
本文介绍了亚100纳米工艺可制造性验证的一组工艺仿真和错误定位技术,制定了标准单元可制造性设计(DFM,Design For Manufacturabil......
讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术，分析了两种技术的原理，利用光刻模拟软件，针对不同线宽的......
<正> 在信息技术革命深入发展的今天,客户机、服务器、LAN、WAN、Internet等技术上的投资直线上升,而各种输出设备明显降为次要地......
不久前．Mentor Graphjcs（明导）公司宣布在北京理工大学光电学院新建一所光电联合实验室。作为双方协议的一部分。明导将资助课程开发......
【正】 日本精工爱普生公司自从生产出世界上第一台打印机以来,一直雄居打印机市场的霸主地位。目前,在世界各地,人们日常使用的打......
【正】 爱普生最新推出的彩色激光打印机AculaserC4100具有黑白彩色同速的打印速度,相比传统激光打印机速度快了4倍,达到了每分钟2......
根据国内外研究和发展现状，对有望突破100nm超精细图案光刻分辨率的一些关键技术进行了阐述，其中包括曝光技术、掩模技术、光学系统......
超大容量 全自动制冰 时尚酒吧台 蔬菜、肉类切换保鲜室 Side By Side对开门大冰箱在欧美发达国家一直占有重要的地位随着我国人民......
打印机的分类 据统计,目前全球打印机品种约400种,而且每年还不断增加新的品种。那么,这么多令人眼花缭乱的打印机又是如何来分类,......
【正】 我们将目前适合家用的激光打印机产品整理如下,以期可以方便您的选购。 HP Laser Jet 61 pro LaserJet 61 pro标称打印速度......
Texas Instruments（TI）设计数据集成部主管Mark Mason指出：尽管157纳米乃至126纳米光学波长曾经一度被视为未来的光刻技术解决方案，极......
作为光刻技术的“替罪羊”，光刻掩膜版已成为光成像途径中越来越重要的一部分。随着改善的光学邻近修正（OPC）和其它分辨率增强技术（RET......
近年来193nm浸没式光刻炙手可热，不但成了65／45nm节点主流技术，而且在32nm的争夺中也毫不落下风，可能会延伸至22nm，人们甚至一度讨论起1......
当Luminescent Technologies公司在2005年的光掩膜技术会议上首次向半导体业界展示其独特的光刻增强产品时，与会人士提出了许多关于......
分辨率增强技术（RET）设计流程中聚集了各式各样的点工具和方法。当前对深亚波长可制造性（DFM）设计的要求迫使设计与制造行业必须建立十......
本刊讯光刻机投影物镜波像差是影响步进扫描投影光刻机性能的重要指标，直接影响光刻机成像质量、光刻分辨率以及关键尺寸均匀性等关......
作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一，双重图形技术（DPT）面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用，其中最突出的因素......
讨论了90／65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET／OPC为核心的可制造性设计。......
在现阶段深亚微米化的集成电路产业中，设计与制造已经出现日益严重的脱节，生产加工过程带来的重修正问题使得设计一生产周期大大加长......
光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术，而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于po......
针对45nm节点的需求,系统分析和研究了该节点不同周期图形的成像规律,并采用了不同的分辨率增强技术进行对比研究,从中分析出最适......
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术......
EPSON公司作为一家专业生产打印机厂商,不断推出性能优良、功能齐全的打印机.在2003年10月,中国全印展上展出一台EPSON AculaserTM......
描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术。该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶（CAR）以及分辨率......
随着图形特征尺寸的不断缩小、集成度的不断提高，集成电路已进入纳米系统芯片（SOC）阶段，摩尔定律依靠器件尺寸缩小得以延续的方式正面......
当前,集成电路产业进入了以纳米工艺为代表的SOC(System On Chip)时代,工艺的特征尺寸越来越小,工艺的进步对设计方法学提出了新的......
