栅介质层相关论文
在过去的六十年间,硅基半导体互补场效应（CMOS）场效应晶体管沿着摩尔定律,朝着器件尺寸不断微缩、晶体管密度不断增加的方向快速发展......
本文采用原子层沉积技术(ALD),在AlGaN/GaN异质结构上制备了10nm Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件。该器件阈值电压为-12V、......
近年来,由于有机场效应晶体管(OFET)具有成本低、机械柔性优异且可大面积制备等优点成为国际研究的前沿领域之一.迄今为止,OFET的......
采用原子层淀积制备了以Al2O3/Ni纳米晶/Al2O3叠层结构为栅介质层的非晶铟镓锌氧(a-IGZO)沟道的薄膜晶体管(TFT)存储器.原子层淀积......
近年来,由于金属氧化物半导体薄膜晶体管具有制备温度低、稳定性好、兼容柔性衬底、迁移率高和成本低等优势,其显示出巨大的应用前......
该文介绍了扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及它们附带的X射线能量分散谱仪(EDS)的基本原理.介绍了SEM与TEM的集成电......
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料具有良好的物理性质和稳定性，宽禁带宽度(3.26eV)，高临界击穿场强(2-4MV/cm)，高热导率(4.9W/cmK)以......
采用电子束蒸镀在ITO上沉积HfO2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响.当450℃时O2退火,HfO2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发现H......
在WKB近似的理论框架下,提出了一个MOS器件中栅介质层直接隧穿电流的模型.在这个模型中,空穴量子化采用了一种改进的单带有效质量......
采用干涉方法研究FN振荡电流 ,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式 .通过和......
介绍了近两年新报道的有机半导体材料,列举了其场效应性能参数;综述了有机场效应晶体管(OFET)在器件结构上的改进,重点阐述了基于......
在WKB近似的理论框架下，提出了一个MOS器件中栅介质层直接隧穿电流的模型。在这个模型中，空穴量子化采用了一种改进的单带有效质量近......
6月25日,摩托罗拉半导体与她的中国合作伙伴南京大学固态微结构国家重点实验室、中国科学院物理研究所联合宣布,经过两年的合作,他......
<正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转......
2007年11月16日，英特尔发布一系列新处理器产品，其中包括用于双路服务器的Xeon系列处理器和用于高端PC的处理器。它们均采用了目前最......
传统的硅基半导体技术正临近发展极限，信息产业即将面对重要历史转折点，这也是中国信息产业界前所未有的机遇。伴随着可移动智能设备......
常规MOS工艺流程是先场氧后栅氧化。在场氧化过程中会产生许多影响其后栅氧化质量的因素，使栅氧化层质量难于提高。本研究从根本上......
