栅极电阻相关论文
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称为IGBT)作为高压大功率半导体开关器件,经常在高电压大电流的环境下......
为了研究栅极电阻对GaN MOSFET的开关速率和输出特性中出现振荡的影响,首先利用MOSFET的基本公式对其导通和关断时的输出瞬态电流......
期刊
利用MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）导通过程中某一时段输出电流和门电压成比例的特点来获得前沿缓慢而后沿陡降的高压脉冲信......
针对蓄电池叉车调速器MOSFET功率管在关断过程中易产生尖峰电压的问题,根据IPB025N10N型MOSFET功率管驱动电路各参数之间的关系,推......
栅极电阻对IGBT的动态特性有很大的影响。对栅极驱动电阻的选择进行了探讨，分析了栅极电阻选择不当可能引起的几种问题，并给出了选择......
在一些特殊的高压、大电流应用场所,若采用传统的模块式IGBT器件,会增加整个系统的结构复杂度及控制难度。为此,采用全压接技术研......
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)与硅绝......
<正> 电压放大是胆机的主要组成部分,所以有必要深入介绍。 一、电子管的高频特性 电子管的放大原理与晶体管完全不同。作超高频谐......
栅极电阻对IGBT的动态特性有很大影响,因此对栅极驱动电阻的选择进行探讨,分析了栅极电阻选择不当可能引发的问题,并给出了选择办......
<正>简介功率器件在当今世界发挥着至关重要的作用。从发电(例如,光伏电站)到通过不间断电源的电池储能,直至最后的负载点的电力价......
<正>4射频和模拟/混合信号技术4.1范围射频(RF)和模拟/混合信号(AMS)技术服务于快速增长的先进通信和"扩展摩尔定律(Mt M)"市场,是......
随着NAND Flash集成电路生产工艺线宽不断缩小以及3D NAND Flash技术的出现,栅极金属化工艺开发与应用成为限制flash产品性能的主......
分析新型SiC功率器件在实际应用中的基本特性,以升压斩波电路为载体,通过理论分析对SiC MOSFET栅极电阻对开关特性的影响,以及开关......
<正> 在设计DC/DC转换器时,在MOSFET的栅极上串联一个电阻Rg或将它接在MOSFET的栅极与驱动电路之间,这是常见的做法。Rg能够衰减栅......
在IGBT关断过程中，过大的du／dt和di／dt将会引起器件的过电流和过电压，从而损坏器件。为了控制IGBT的开关特性。通常在栅极串联电阻，其大......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种性能优良的全控型电力电子器件,由于线路和器件内部分布电感的存在,关断时集电极电流的快速变化会感......
IGBT作为新型功率半导体的主要器件，在1～100kHz的频率应用范围内占据重要地位，广泛应用于工业、航空航天等传统行业以及轨道交通、智......
ST公司的STGAP2SCM是电流隔离1700V单个栅极驱动器,能隔离栅极驱动通路与低压控制电路和接口电路.驱动电流4A,并具有轨到轨输出,是......
<正> 超大电流(UHC)MOS场效应管是一种漏极电流可达50～100A、栅源电压与漏极电流呈线性的功率放大器件。用它作为功率放大器的输出......
在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础。基于0.15μm栅长G......
期刊
<正>近几十年来,由于晶体管及集成电路技术的飞速发展,使电子管几乎退出了历史舞台,但是由于电子管不同于晶体管的一些特性,使它在......
