【摘 要】
：
为了研究栅极电阻对GaN MOSFET的开关速率和输出特性中出现振荡的影响,首先利用MOSFET的基本公式对其导通和关断时的输出瞬态电流进行了理论推导,然后通过实验平台测试GaN MO
【机 构】
：
重庆城市管理职业学院,重庆401331;重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆401331
论文部分内容阅读
为了研究栅极电阻对GaN MOSFET的开关速率和输出特性中出现振荡的影响,首先利用MOSFET的基本公式对其导通和关断时的输出瞬态电流进行了理论推导,然后通过实验平台测试GaN MOSFET的瞬态电流值,且与理论值对比,验证栅极电阻带来的影响.实验结果表明,GaN MOSFET的瞬态电流值实验值与理论值基本吻合,在导通和关断时,GaN MOSFET的输出瞬态电流和输出电流的高频震荡均随栅极电阻的增加而减小.栅极电阻从10 Ω变化到100 Ω时,导通时开关速率上升率占总开关速率上升率的84.7％,关断时开关速率下降率占总开关速率下降率的54.06％.在栅极电阻为10～100 Ω范围内,GaN MOSFET具有较快的开关速度.
其他文献
针对MEMS在工艺和结构上的新特点以及当前国内外尚未形成与MEMS相关的失效率预计模型的研究现状,基于失效物理方法和现有FIDES标准,提出了一种MEMS失效率预计方法.在MEMS工艺
本文主要是通过研究PID控制器参数模糊自整定方法，设计了一种模糊PID控制器。首先对模糊控制的基本原理、发展历史、研究现状、发展趋势以及PID控制的原理与参数整定方法进行
基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息.在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管
陶瓷类四面引脚扁平封装(CQFP)器件因具有节距小、重量大的固有特点而在随机振动过程中常出现失效现象.首先基于典型CQFP封装设计了多种引线成形方案.再以有限元仿真软件分析
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境.研究了高温与电应力对0.25 μm GaAs pHEMT肖特基特性的影响.该pHEMT的反向偏置栅极漏电流主要
随着现代钢铁业的不断发展，对入炉原料的要求日趋严格。球团矿作为人造富矿之一，由于其特有的冶金性能而成为当今冶炼炉料中不可缺少的重要组成部分。球团厂质量的检测大多数是
基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化.分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施对电学特性的影响.测试结果表明,两种措施均
1rn清晨,一阵清脆的闹铃声把我从睡梦中惊醒,我极不情愿地用力睁开眼睛.天光已亮,我知道已经5:30了,我又将要迎来战斗的一天.rn穿衣,起床,洗刷,做饭,吃饭,当我熟练地完成一系
昨日,我读了南京市浦口区行知小学校长杨瑞清谈他的办学之路的一篇文章.可以肯定地说,杨校长的办学路子,给我们这些从事农村教育的人某些启示,比如农村教育该怎么办,该走怎样
占有“年轻一族”的饮食消费市场,使川菜不断朝营养化、科学化发展,川菜的明天更美好.