增强型p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅与源漏之间的沟道特性对器件性能具有重要的影响.在同一晶圆衬底上,采用干法......

为了减小栅漏电流,本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga 0.755N/GaN异质结构间插入了3nm的薄铝层,并对这种新结构的肖特基结和传统Ni/Au肖特......

GaN高电子迁移率器件(GaN HEMTs)在微波射频和电力电子领域有着广阔的应用前景.为了追求更高的击穿特性,AlGaN沟道HEMTs器件正受到......

为了深入研究表面处理工艺对AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响,本文在栅金属淀积前,分别采用1∶5和1∶10浓度的HCl溶液对样品表面进行......

研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电.用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N......

采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010）Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的G......