【摘 要】
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采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010）Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的Ga2O3缓冲层和200 nmSi掺杂沟道层。对掺杂浓
【机 构】
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河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金（61674130,61604137）
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采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010）Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的Ga2O3缓冲层和200 nmSi掺杂沟道层。对掺杂浓度为3.0×10^17和1.0×10^18 cm^–3的样品进行了高温合金欧姆接触实验,在掺杂浓度为3.0×10^17 cm^–3的样品上难以实现良好的欧姆接触,掺杂浓度为1.0×10^18 cm^–3的样品实现了欧姆接触最低值（9.8W×mm）。基
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