栅电容相关论文
本文利用仿真软件对6500V FS-IGBT的传统结构和T型栅结构进行了电特性仿真,通过对器件静态和动态特性的研究发现:T型栅结构随着薄......
利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变......
本文首先给出了叠栅MOSFET的结构设计，通过理论计算与仿真模拟结果作比较来验证普通NMOS的阈值电压的正确性；在此之后，同样仿真模......
随着半导体技术的快速发展，为了提高集成电路的集成度，MOS器件的尺寸在不断地减小。虽然半导体器件尺寸的减小能够满足集成电路对于......
研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘ层双绝缘栅的制作方法，双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有......
显式地推导多晶硅薄膜晶体管（Polysilicon thin-film transistors，poly-Si TFT）表面势隐含方程的近似解，该求解法非迭代的计算大大地提......
为了更直观地描述低压大电流VDMOS器件特性，对器件栅电荷特性进行了测量和提取。通过栅电荷曲线（VGS—QG），能导出器件的电容特性，驱动电......
基于改进后的三角势阱近似和n型多晶硅的耗尽以及MOSFET的强反型的情况,建立了一个考虑量子效应的栅电容模型.分别对反型层电容和......
功率MOSFET的开关性能主要取决于栅极和源极间的等效电阻Rg和等效电容Cgs的乘积。讲述了双扩散型MOSFET栅电阻Rg和栅电容Cgs的等效......
当CMOS技术尺寸急剧减小到极限时，要突破这些基本极限，器件性能必须重新进行评估。也就是说，为了理解器件缩小进程中的极限并研制出新......
在超深亚微米MOS器件中,量子效应对器件特性的影响很大.根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOS器件反型层和多晶硅栅中电......
研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件......
提出一种根据 C_g-V_g及 G_i-V_g关系测定 GaA: MESFET外延层中载流子浓度分布n(h)及漂移迁移率分布μ(h)的方法.给出了一些典型外......
基于Lambert W函数,推导出非晶硅薄膜晶体管表面势的解析解,并将其与泊松方程的数值解进行对比。结果显示:该求解大大提高了计算效......
基于FinFET栅电容结构微观物理特性原理.通过能带结构关系推导了考虑量子效应的栅电容物理模型公式,使用TCAD搭建了FinFET器件结构......
DDPG MOSFET作为一种新型的MOS器件,它具有提高驱动电流,提高器件的跨导和截止频率等优点。但是经过研究发现该器件仍然存在许多缺......
众所周知,计算机和通讯机是实现社会现代化信息化的关键,但是其主要的核心基础都是微电子产品。目前,MOS集成电路是微电子产业的核......
集成电路对于高速、高集成度、大信息存储量的追求使得MOS器件的尺寸持续缩小，但是随着MOS器件尺寸的缩小，许多原本在长沟MOS器件中......
